哈爾濱特博科技有限公司
當(dāng)前位置：首頁(yè)>產(chǎn)品展示>砷化鎵廠家直供
認(rèn)證資料 Certification Data
哈爾濱特博科技有限公司
- 聯(lián)系人：李洪巖
- 主營(yíng)產(chǎn)品：硅片,納米粉粉末,金屬粉末
- 所在地：黑龍江省#哈爾濱市#道里區(qū)河鼓街3號(hào)
- 供應(yīng)產(chǎn)品：23
推薦產(chǎn)品
產(chǎn)品詳情
Product details一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生長(zhǎng)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高
聯(lián)系方式
Contact Us- 聯(lián)系人姓名：李洪巖
- 聯(lián)系人職位：經(jīng)理
- 聯(lián)系人手機(jī)：13613627346
- 企業(yè)電話：0451-51752136
- 詳細(xì)地址：黑龍江省#哈爾濱市#道里區(qū)河鼓街3號(hào)